前几天，部门副总裁 Samsung 来自代工芯片制造商 Jeon Gi-tae 接受 The Elec 出版物采访时 已报告未来的工艺流程SF1.4（1,4纳米级）中，晶体管的通道数将从个增加到个，这将在性能和能耗方面带来切实的优势。 这将在英特尔推出类似晶体管三年后发生，这将迫使 Samsung 赶上竞争对手。
公司 Samsung 是第一个生产栅极完全包围晶体管通道的晶体管（SF3E）的公司。 这发生在一年多前，并且被选择性地使用。 例如，这种3纳米工艺用于生产加密货币矿工的芯片。 新技术工艺中晶体管中的通道是薄纳米片，一层一层地放置。 在晶体管中 Samsung 三个这样的通道，其四个侧面都被栅极包围，因此电流在精确控制下流过它们，泄漏最小。
相反，英特尔将于 2024 年开始使用 2 nm RibbonFET Gate-All-Around (GAA) 工艺生产首款具有纳米片通道的晶体管。 从一开始，它们每个都有四个纳米片通道。 这意味着英特尔的 GateGAA 晶体管将比同类晶体管更加高效 Samsung，将能够通过更高的电流，并且比韩国竞争对手的晶体管更加节能。 它将持续大约三年，直到 Samsung 预计将于 1.4 年开始生产采用 SF2027 技术工艺的芯片。正如现在所知，它们也将变成“四叶”——它们将分别接收四个通道，而不是今天的三个。
是否会是另一回事 Samsung 在可制造性方面实际上落后于英特尔吗？ 届时，这家韩国公司在GAA晶体管的量产方面将拥有五年的经验，而英特尔仍将是一个新来者。 随着这种晶体管的生产，一切都不容易，因为 Samsung 非常非常有选择性地使用这种技术流程。 无论如何，向新晶体管架构的过渡将是半导体行业的重大突破，并将有可能跨越传统半导体生产在未来几年内不再处于进步前沿的障碍。
另请阅读：