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公司 Samsung 宣布在全球率先展示用于内存计算的 MRAM（磁阻随机存取存储器）技术。 该公司题为“用于内存计算的跨阵列磁阻器件”的论文发表在《自然》杂志上。
数据通常存储在处理器的高速 DRAM 中。 然而，MRAM 改变了这种情况，将数据存储和计算集成在一起，让两者都发生在同一个芯片上。 理论上，这种情况下的操作执行得更快，因为不需要从处理器的内存传输数据，反之亦然。 此外，由于数据处理以非常并行的方式在内存中进行，因此可以显着节省电力。
该演示是一项突破，因为虽然已经演示了 PRAM 和 RRAM 等其他内存计算解决方案，但工作 MRAM 却很难实现，主要是由于其低电阻。 在标准内存计算架构中也无法利用 MRAM 的能效优势。
公司 Samsung 使用专有的 MRAM 阵列芯片使 MRAM 成为可能，该芯片使用电阻和而不是标准的电流和来解决电阻问题。
该解决方案使用人工智能 (AI) 应用程序进行了测试，显示手写数字分类准确率为 98%，图像中人脸检测准确率为 93%。 Samsung 声称 MRAM 技术可用于 AI 处理并创建高性能 AI 芯片。
该论文的第一作者 Seunchul Jung 博士说：“记忆中的计算类似于大脑，因为在大脑中，计算也发生在生物记忆网络或突触中——神经元相互接触的点。 事实上，虽然我们的 MRAM 网络执行的计算与目前大脑执行的计算具有不同的目的，但这种固态存储网络在未来可能会被用作模拟大脑的平台，通过模拟大脑的通信。大脑突触。”
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