在最后的投资者说明会上 Samsung 宣布其 3nm 芯片的生产将在未来几周内开始。 如果发生这种情况，它的进展将比台积电更快。 台积电表示，其采用FinFET架构的3nm工艺制程将于下半年投入量产。 业内分析人士认为，虽然 Samsung 声称3nm制程已接近量产，在晶体管密度和性能方面堪比台积电的5nm制程和Intel的4nm制程。 理论上，一个3纳米的芯片 Samsung 是最新的，但仍然落后于台积电。
Samsung 声称与目前的 7nm FinFET 架构工艺相比，新的 3nm 技术芯片可以在低于 0,75V 的电压下工作。 这将使总能耗降低 50%。 它还将使性能提高 30%，芯片尺寸减小 45%。
虽然3纳米技术 Samsung 对比台积电的4nm工艺，前者的带宽和漏电控制效率会更好。 这很可能会提高性能。
不过，目前还不知道的最大变量是3nm工艺的输出能有多好 Samsung. 4纳米技术 Samsung 性能很差，这使得主流客户选择台积电。 据行业报告，产量 Samsung 在 3 nm 工艺上只有 10% 左右，但 Samsung 没有证实这一点。
业内人士认为，此类厂商如 Apple,AMD, NVIDIA其中，高通、英特尔和联发科将是台积电3纳米技术量产初期的主要客户，应用在高速计算、智能手机等领域。台积电表示，今年下半年3nm工艺量产后，将成为PPA（性能、功耗和面积）和晶体管技术的领导者。
此外，台积电还走上了更先进的2nm工艺。 预计2024年开始试生产，2025年量产。 可以乐观地说，2nm工艺将成为业界领先的技术，也是最适合支持越来越多客户的技术。
你可以帮助乌克兰对抗俄罗斯侵略者。 最好的方法是通过以下方式向乌克兰武装部队捐款 拯救生命 或通过官方页面 NBU.
另请阅读：