Micross 推出超可靠的 STT-MRAM 内存芯片，容量创历史新高

刚刚宣布推出用于航空航天应用的 1 Gbit (128 MB) STT-MRAM 离散存储芯片。 这比之前提供的磁阻存储器密度高很多倍。 如果我们谈论 Micross 公司的产品，STT-MRAM 存储元件的实际放置密度增加了 64 倍，该公司为航空航天和国防工业生产超可靠的电子填充物。

STT-MRAM Micross 芯片基于美国公司 Avalanche Technology 的技术。 Avalanche 于 2006 年由 Peter Estakhri 创立，他是 Lexar 和 Cirrus Logic 的本地人。 除了 Avalanche、Everspin 和 Samsung. 第一个与 GlobalFoundries 合作，专注于发布具有 22 nm 技术标准的嵌入式和分立 STT-MRAM，第二个（Samsung) 同时以控制器内置的 28 纳米块的形式发布 STT-MRAM。 一块容量为1Gb的STT-MRAM，顺便说一句， Samsung 大约三年前提出的。

Micross 的优点可以被认为是分立的 1Gbit STT-MRAM 的发布，它易于在电子产品中使用，而不是 NAND 闪存。 STT-MRAM 内存可在更大的温度范围（从 -40° C 到 125° C）内运行，重写次数几乎是无限的。 它不怕辐射和温度变化，可以将数据存储在电池中长达 10 年，更不用说更高的读写速度和更低的能耗。

回想一下，STT-MRAM 存储器以磁化形式将数据存储在单元格中。 这种效应是 1974 年 IBM 在开发硬盘驱动器时发现的。 更准确地说，后来发现了磁阻效应，它是 MRAM 技术的基础。 很久以后，有人提出使用电子自旋（磁矩）转移效应来改变存储层的磁化强度。 因此，缩写 STT 被添加到名称 MRAM 中。 电子学中自旋电子学的方向是基于自旋的转移，由于过程中电流极小，大大降低了芯片的消耗。

另请阅读：

• Samsung，跟随其他人，提供扩展智能手机内存的技术
• 黑客在内存中隐藏（并运行）恶意软件和AMD 显卡的 yati 和 NVIDIA