微米 宣布业界首款 3 层 232D NAND 存储器件。 该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种设备，包括固态驱动器，并计划在 2022 年底开始提高此类芯片的产量。
美光的 232 层 3D NAND 器件采用 3D TLC 架构，直接存储容量为 1 TB（128 GB）。 该芯片基于美光的 CMOS 阵列下 (CuA) 架构，并使用 NAND 行堆叠方法在彼此之上构建两个 3D NAND 阵列。
CuA 设计与 232 层 NAND 相结合，将显着减小美光 3TB 1D TLC NAND 存储芯片的尺寸，这有望降低制造成本，并使美光能够更积极地为采用这些芯片的设备定价，或者只是提高其利润率。
美光尚未公布其新型 232L 3D TLC NAND IC 中的 I/O 速度或平面数量，但暗示与现有 3D NAND 设备相比，新内存将提供更高的性能，这对下一代特别有用带 PCIe 5.0 接口的固态硬盘
谈到固态硬盘，美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示，该公司与专有和第三方 NAND 控制器开发商密切合作，以确保对新型内存的适当支持。
在其 232 层 3D TLC NAND 的其他优势中，美光提到了与上一代节点相比的功耗，考虑到美光长期以来专注于移动应用以及与相关设备制造商的关系，这将是另一个优势。
考虑到美光将在 232 年底开始生产 3 层 2022D TLC NAND 设备，我们可以预计带有新内存的 SSD 应该会在 2023 年出现。
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