日本微电路制造商 柯夏 开发闪存 NAND闪存 大约有 170 层，与美国同行美光科技和韩国 SK 海力士一起开发先进技术。
新的 NAND 内存是与美国合作伙伴共同开发的 西部数据 并且记录数据的速度是铠侠目前由 112 层组成的顶级产品的两倍。
铠侠前身为东芝存储器，计划在半导体行业年度全球论坛国际固态硬盘大会上推出其新的 NAND，并计划最早于明年开始量产。
它希望满足与数据中心和智能手机相关的需求，因为第五代无线技术的普及导致数据传输量和速度的增加。 但这一领域的竞争已经在加剧：美光和 SK 海力士都宣布了他们的新产品。
Kioxia 还设法在其新的 NAND 中每层容纳更多的存储单元，这意味着它可以使芯片比具有相同内存量的其他芯片小 30%。 更小的微电路将使智能手机、服务器和其他产品的创建具有更大的灵活性。
为了增加闪存的产量，铠侠和西部数据计划今年春天在日本横海道开始建设一座价值 9,45 亿美元的工厂。 他们的目标是最早在 2022 年投入运营。
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