公司 Huawei 获得了 EUV 光刻（极紫外光刻）系统中使用的重要组件之一的专利，这是在高达 10 nm 的工艺过程中创建高级处理器所必需的。 它解决了紫外线产生的干涉图案问题，否则会使印版不均匀。
公司正处于微电路生产的最后阶段 Huawei 解决了由微小波长的极紫外光引起的问题。 该公司的专利描述了一系列镜子，这些镜子将一束光分成几束子光束，这些子光束与它们自己的微镜发生碰撞。
目前，EUV 光刻系统由荷兰公司 ASML 独家生产。 它们基于与旧形式光刻相同的原理，但使用波长约为 13,5 nm 的光，这几乎是 X 射线。 ASML 从快速移动的直径约 25 微米的熔融锡液滴中产生紫外线。
“在秋天，”ASML 解释说，“液滴首先在低强度激光脉冲下落下，将它们压扁成薄饼。 一个更强大的激光脉冲然后蒸发扁平的液滴，产生发射紫外线的等离子体。 为了产生足够的光来制造微芯片，这个过程每秒重复 50 次。
ASML 耗时超过 6 亿欧元，历时 17 年才研制出第一批可销售的 EUV 光刻机。 但是美国政府 施加压力 荷兰政府，这样该公司就不会向中国出口新奇产品，并且该国将仅限于较旧的 DUV（深紫外线）技术。 所以目前只有五家公司使用或已经宣布计划使用 ASML EUV 光刻系统：美国的英特尔和美光， Samsung 以及韩国的 SK 海力士和台湾的台积电。
中国企业如 Huawei，之前能够将他们的设计发送到台积电等工厂，使用 EUV 光刻进行制造。 但自从美国引进 制裁 对付中国，这几乎是不可能的。 然而 Huawei 仍然需要访问使用 EUV 光刻的高级节点，以继续改进处理器。 所以现在该公司的目标是建立自己的 EUV 系统，并且正在从政府那里获得足够的资金和支持。 但这仍然需要很多时间。
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